3.1L’interaction photon/semi-conducteur L’écart entre la bande de valence et de conduction, ou gap , représente une caractéristique fondamentale des semi-conducteurs. I.7. Comment faire du graphène un semi-conducteur - Futura III. 1. Introduction - univ-tlemcen.dz Donner les applications des matériaux décrits. Semi Avec, h : constante de Planck. Au zéro absolu, tous les électrons sont situés en dessous d’un niveau appelé niveau de Fermi W F. … semi Dopage d’un semi-conducteur Ge Si unit Z 32 14 A 72.6 28.1 Dens 5,32 2,33 g /cm2 E g 0.7 1.1 eV E e/t 2.96 @77 3,62 @300 eV °K Dopage 1013 a 1016 pour 1022 at / cm3. Transport dans les semi-conducteurs Dans un semi-conducteur l’accroissement des charges libres peut avoir trois origines : le phénomène de génération-recombinaison (négligé), l’arrivée de charge due à un champ électrique ou à la diffusion. Les semi-conducteurs sont des solides dont la résistance varie selon la température ou d'autres paramètres physiques. Rappel sur les ordres de grandeur : – gap Eg des semiconducteurs usuels (Kittel , chapitre 8, tableau 1) : Ge : 0,7 eV — Si : 1,1 eV — GaAs : 1,4 eV — GaP : 2,3 eV — CdS : 2,4 eV – à la température ambiante, kT = 25 meV – énergie d’ionisation des impuretés (donneurs et accepteurs) : de l’ordre de 10 meV À température nulle, la bande de conduction est vide … La structure d’un semi-conducteur • Structure diamant - Si ou Ge a = 5.43Å (Si) 5.66Å (Ge) Structure cubique à faces centrées 2 CFC imbriqués, 8 atomes dans une maille. Mais le m´ecanisme de conduction est diff´erent de celui des m´etaux : Un ´electron promu dans la bande de conduction laisse un trou positif dans la bande de valence.
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